本文摘要:在编写单晶和多晶硅生产工艺流程(一)时,作者解释了前半部分的单晶和多晶硅工艺流程,阐述了一些工艺流程和概念,以及相关的科学知识术语。

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在编写单晶和多晶硅生产工艺流程(一)时,作者解释了前半部分的单晶和多晶硅工艺流程,阐述了一些工艺流程和概念,以及相关的科学知识术语。本文中,切片过程开始了解,从研磨和吸杂,看硅片如何变化。

切片和切片概述当单晶硅篮送到硅片生产区时,晶棒已经经过了首尾相接的操作、滚动研磨和基准面研磨的过程,因此需要将碳板粘上,然后粘在切块上开始切片。为了被切割成单个的硅片,晶体棒必须以某种方式展开和切割。

切片过程中有一些剔除:可以展开,向晶体的特定方向切割;将表面切得尽可能平整;进口硅片的损伤尽量小;应尽量减少材料损失。碳板从晶棒上切下硅片时,一定要有防止硅片松脱的东西。典型地,碳板和晶体棒通过环氧树脂结合在一起,使得硅晶片在从晶体棒上切割下来之后仍然在碳板上是坚硬的。

碳板并不是不干胶板的唯一自由选择。任何一种胶板和环氧熔接剂都必须具备以下特点:能对着硅片,避免切片过程中掉下来,更容易从胶板和环氧中挤出;还能保持硅片不受污染。其他硬板漆包括陶瓷和环氧树脂。

图2.1说明了碳板和晶体棒之间的结合。图2.1棒状石墨示意图棒状石墨是一种用于支撑硅片的软性材料,制成与晶体棒键合部分相同的形状。在大多数情况下,碳板不应该严格地沿着晶棒的基准面粘贴,这样就可以将碳板加工成矩形条。当然,碳板也可以粘合到晶棒的其他部分,但在某种程度上,它不应该与这部分的形状完全一致。

碳板的形状是最重要的,因为它拒绝用于尽可能少的环氧树脂和尽可能短的碳板与晶棒之间的距离。这个距离拒绝越短越好,因为环氧树脂是很硬的材料,而碳板和晶棒是很硬的材料。当刀片从软材料切割到硬材料,再切割到软材料时,可能会造成硅片碎片。

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以下是一些自由选择环氧树脂类型的参考:强度、流动性和污染程度。粘合碳板和晶体棒的环氧树脂应具有足够强的粘度,以对抗硅晶片,直到整个晶体棒被切成碎片。因此,它必须能够更容易地从硅片上去除,只有更多的污染。当刀片从晶棒上切下下硅片时,预计穿孔会比较平整,损伤小,朝特定方向切割,损耗的材料尽量小。

这是一种快速、安全、可靠和经济的切割方法。在半导体企业中,常用的两种方法是环切和线切割。

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环切一般指内圆切割,是将晶棒切割成硅片最常用的方法。内圆切割成内圆,切割方向在刀片表面。

刀片是由不锈钢制成的又大又厚的环。叶片的内边缘镀有一层带有DIA颗粒的镍层。这种DIA-镍涂层获得了切割成晶棒的表面。

对于一个150毫米的硅片,每把刀需要3分钟。在典型的内部圆形刀片的中心,内部圆形刀片的含量和厚度约为0.005英寸的不锈钢,并且在不锈钢刀片的边缘两侧的镍-直径涂层约为0.003英寸。内圆形叶片的内边缘的总厚度约为0。

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